Drain current 指在场效应晶体管(尤其是 MOSFET)中,从漏极(drain)流向源极(source)的电流,常记作 I_D。它会随栅源电压、漏源电压与器件工作区(截止/线性/饱和)而变化。(在更广义的电路语境中,也可指“经由漏极端流过的电流”。)
/dreɪn ˈkʌrənt/
The drain current increases when the gate voltage rises.
当栅极电压升高时,漏极电流会增加。
In saturation, the drain current is mainly controlled by the gate-source voltage rather than the drain-source voltage.
在饱和区,漏极电流主要由栅源电压控制,而不是由漏源电压控制。
drain 原义与“排出、流走”相关,后来在电子学中借用来指器件的“漏极”端子(电流“流走/排出”的端)。current 来自拉丁语 currere(奔跑、流动),表示“电流”。组合成 drain current,字面即“漏极端的电流”。