PIN 光电二极管:一种由 P 型—本征层(I 层)—N 型 结构组成的光电探测器。I 层较厚,使耗尽区变宽,从而在反向偏置下能更高效、更快速地把入射光转换为电信号;常用于光纤通信、激光测距、光功率监测等。(也有人把它写作 p-i-n photodiode。)
/ˌpiː aɪ ˈɛn ˈfoʊtoʊˌdaɪoʊd/
A PIN photodiode can detect very weak light signals.
PIN 光电二极管可以检测非常微弱的光信号。
In high‑speed fiber‑optic receivers, a PIN photodiode is often reverse‑biased to widen the depletion region and reduce transit time, improving bandwidth.
在高速光纤接收机中,PIN 光电二极管通常加反向偏置以加宽耗尽区并减少载流子渡越时间,从而提升带宽。
PIN 来自器件结构的三层掺杂类型:P(正型半导体)+ I(intrinsic,本征/近本征层)+ N(负型半导体)。photodiode 由 **photo-**(光)+ diode(二极管)构成,字面意思就是“用光来工作的二极管”。